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本文公开了涉及均匀减少氮化硅膜的特征内湿法蚀刻速率的方法和装置，具体涉及用于沉积具有降低的湿法蚀刻速率的SiN膜的方法。该方法可以包括使包含Si的膜前体吸附到在处理室中的半导体衬底上，以形成前体的吸附受限层，然后从围绕被吸附的前体的体积中去...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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