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本发明涉及包含应变状态不同的晶体管通道的半导体结构体的制造方法及相关的半导体结构体，该制造方法包括在多层基片上的应变半导体层的第二区域中注入离子，以使该应变半导体的第二区域的一部分结晶态半导体材料非晶化，而不使该应变半导体的第一区域非晶化。...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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