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本发明涉及抑制寄生等离子体和减少晶片内非均匀性的系统和方法。用于在衬底上沉积膜的衬底处理系统包括限定了反应体积的工艺室。喷头包括一端邻近工艺室的上表面连接的杆部。基部被连接到杆部的另一端，并从杆部径向向外延伸。喷头被配置为将工艺气体和清扫气...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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