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在用于制造半导体器件的蚀刻方法中，首先，提供包括接触区的半导体衬底。然后，在半导体衬底上形成金属氮化物层以防止过蚀刻。此后，在金属氮化物层上形成介电层。然后，实施蚀刻工艺以形成穿通金属氮化物层和介电层的开口以暴露接触区。蚀刻方法还可以包括在...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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