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一种制造相变化记忆体的方法：(i)形成加热元件于半导体基材上；(ii)形成第一介电层于半导体基材及加热元件上方，第一介电层具有开口暴露出加热元件；(iii)形成阻障层衬裹开口的侧壁；(iv)形成相变化材料层覆盖第一介电层及阻障层，并填充开口...该专利属于宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司授权不得商用。