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本发明公开了一种具有平面状通道的垂直功率金氧半场效晶体管元胞，包括具有漏极电极的N+硅基板。低掺杂浓度N型漂移层长于该基板上。交替的N型纵列与P型纵列形成于该漂移层上并具有较高的掺杂浓度。然后具有高于该漂移区的掺杂浓度的N型层被形成且被蚀刻...
该专利属于马克斯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过马克斯半导体股份有限公司授权不得商用。

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