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本发明提供了一种沟槽型超结功率器件和一种沟槽型超结功率器件的制造方法，其中，沟槽型超结功率器件的制造方法包括：在衬底上生长第一外延层，在第一外延层上生长第一氧化层；在第一氧化层和第一外延层上刻蚀多个深沟槽；在第一氧化层和多个深沟槽中生长第二...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。