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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式影像传感器及其制备方法，通过在进行金属栅格底端粘合层，金属层镀膜制程之后；于金属层之上沉积抗反射层，最后通过图形和刻蚀形成上表面具有抗反射层的若干金属栅格，该抗反射层可以降低金属栅格的反射率，...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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