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一种宽禁带半导体材料的生长和分离方法。该方法相比化学法腐蚀衬底、激光剥离衬底等传统方法，可实现更加低成本和高效率的目的。本发明利用横向过生长所需的掩膜层，通过外部输入电压信号，使得缓冲层薄膜产生变化，实现了HVPE外延生长的氮化镓层与衬底分...
该专利属于上海澜烨材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海澜烨材料技术有限公司授权不得商用。

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