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本实用新型涉及一种应用于半导体薄膜沉积设备的双电缸垂直升降的开腔结构。双电缸倒置安装，同步控制，两侧提供举升力开启腔体上盖板。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括：上盖板，设置在腔体上，用于开启与开闭；两个电机，分别固定安装在两个电缸...
该专利属于沈阳拓荆科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳拓荆科技有限公司授权不得商用。

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