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除了别的以外，本申请涉及辅助自保护晶体管电路、系统和方法，被配置为保护互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管。所述辅助自保护晶体管电路可包括ESD器件，所述ESD器件包括栅极端子、漏极端子和源极端子。所述ESD器件被配置为耦合到互补金属氧化...该专利属于快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司授权不得商用。