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本发明提供一种用于单行载流子光电二极管的吸收区结构，所述吸收区结构采用In1-xGaxAsyP1-y材料生长，其中，x、y分别为Ga元素和As元素的材料组分，0<x<1，0<y≤1，且组分参数x、y呈线性渐变或阶跃式梯度变...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明提供一种用于单行载流子光电二极管的吸收区结构，所述吸收区结构采用In1-xGaxAsyP1-y材料生长，其中，x、y分别为Ga元素和As元素的材料组分，0<x<1，0<y≤1，且组分参数x、y呈线性渐变或阶跃式梯度变...