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本发明提出一种BCB材料的刻蚀方法，包括：a.提供半导体芯片，所述芯片表面覆盖待刻蚀的BCB材料层；b.采用电感耦合等离子体对所述BCB材料进行刻蚀；其中，刻蚀条件为：刻蚀温度为18～22℃；等离子体刻蚀功率为140～160W；射频功率为1...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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