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本发明实施例提供了一种高电压金属氧化物半导体晶体管设备，包括：半导体基底；栅极，覆盖在所述半导体基底的上面；所述栅极的相对的第一侧壁和第二侧壁上的侧壁间隔物；漏极结构，位于所述半导体基底中；第一离子井，位于所述半导体基底中，并且与所述栅极部...
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