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在能够实现以比特为单位的双向改写的非易失性半导体存储装置中，使存储单元的耐久特性以及数据保持特性提高，同时高速地实施改写动作。设置与写入状态的变化的数量相应的逻辑电路(203、204)，并行地实施改写开始时的存储器读出数据(RO)和被给予的...
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