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本申请公开了一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及产品，该制备如下：在P+氮化镓衬底上外延生长N-型掺杂的氮化镓漂移层；在N-型掺杂的氮化镓漂移层上，利用离子注入形成P+掺杂区；在P+型掺杂区上，利用离子注入形成N+掺杂区；高温退火，激活掺...该专利属于北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所授权不得商用。