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磁存储器件及其形成方法技术
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文档序号:12951083
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本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括:在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层;图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案;在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层;去除盖图案以暴露第一磁性导电图案;在第一磁性导电图案和层...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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