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本申请提供了一种利用应力记忆效应的CMOS器件的制作方法。该制作方法包括：在半导体衬底中设置浅沟槽隔离结构；在NMOS区和PMOS区上形成栅极结构、位于栅极结构上的硬掩膜层、位于栅极结构侧壁上的偏移侧墙；在半导体衬底的裸露表面上、硬掩膜层的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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