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本发明公开了一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池，由下至上依次包括非晶态缓冲层、太阳电池层；所述非晶态缓冲层组分为InxGa1-xAs，0.4≤X≤0.8；所述非晶态缓冲层的厚度为1-5nm。本发明还公开了上述具有非晶态缓...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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