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本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法，其特征是首先通过热蒸发的方法在三温区管式炉中合成制备p-型ZnSe纳米线，对n-型重掺杂Si片进行预处理，再用镊子将制备所得的p-型ZnSe纳米线呈片状揭下，...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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