【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于p‑型ZnSe纳米线/n‑型Si异质结的光电探测器的制备方法,所述光电探测器的结构层自下而上依次为:n‑型掺杂Si片(4)、感光层(3)和石墨烯电极(1),所述感光层(3)为p‑型ZnSe纳米线,所述感光层(3)与石墨烯电极(1)之间为欧姆接触,在所述感光层(3)的外围、位于n‑型掺杂Si片(4)与石墨烯电极(1)之间设置有绝缘层(2),以所述绝缘层(2)在n‑型掺杂Si片(4)与石墨烯电极(1)之间进行绝缘,其特征是所述光电探测器是按如下过程制备:a、通过热蒸发的方法在三温区管式炉中合成制备p‑型ZnSe纳米线:采用质量纯度不低于99.9%的ZnSe粉末为原材料,以蒸镀有10nm金的硅片作为衬底,管式炉以温度为1050℃,气压为100托的反应条件保持两个小时;对于N掺杂ZnSe纳米线,在保持阶段持续通入NH3气体,气体流量恒定为15sccm;对于P掺杂ZnSe纳米线,在保持阶段持续通入PH5气体,气体流量恒定为12sccm;待炉腔温度自然冷却到室温时取出样品,硅片衬底上沉积的一层黄褐色绒状产物即为制备所得的p‑型ZnSe纳米线;b、n‑型重掺杂Si片预处理将n‑型重掺杂Si片 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王莉,卢敏,罗林宝,吴春艳,胡继刚,
申请(专利权)人:合肥工业大学,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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