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一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底的部分表面形成牺牲层和位于所述牺牲层表面的第一掩膜层，第一掩膜层的表面具有第一粗糙度；去除第一掩膜层底部的部分牺牲层，使第一掩膜层悬空于衬底上方；之后，对第一掩膜层进行退火，使第一掩膜层的表面具有第二粗...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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