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一种双金属栅极结构的制备方法，包括：步骤S1：设置具有NMOS之第一区域和PMOS之第二区域的半导体衬底；步骤S2：在具有NMOS之第一区域和PMOS之第二区域的半导体衬底上设置栅极介电层和第一栅极金属层，且第一栅极金属层为PMOS功能函数...
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