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一种高介电常数界面层的制备方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并利用H2SO4和H2O2的混合溶液对硅基衬底进行清洗；步骤S2：采用RCA清洗法对硅基衬底进行清洗；步骤S3：采用HF溶液对硅基衬底进行清洗；步骤S4：采用热氧化法生长SiO2...
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