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本发明提供一种光刻胶侧墙角度的预测及改善方法，方法包括：在一根据光刻数据版图上，分别获取曝光显影的光刻胶断面的若干个特征尺寸；根据所述特征尺寸建立对应的模型；采用模型对所述光刻数据版图进行光学临近效应修正；采用所述模型对修正后的所述光刻数据...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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