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本发明公开了一种制造快闪存储器的方法,包括:在半导体衬底上刻蚀隔离区和有源区;在该刻蚀后的半导体衬底上依次形成第一衬垫氧化硅层和第二衬垫氧化硅层,并对所述第二衬垫氧化硅层进行致密化处理,以形成半导体衬底结构,其中,所述第二衬垫氧化硅层采用高...该专利属于上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司授权不得商用。