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本发明涉及存储芯片和制造存储芯片的布局设计。静态随机存取存储器(SRAM)芯片包括多个SRAM单元和多个单元电流跟踪单元。每个SRAM单元包括电源电压参考导体、第一接地参考导体、两个交叉耦合反相器、和两个传输栅极器件。每个单元电流跟踪单元包...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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