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本发明涉及一种集成电路引线框架用复合材料，其特征是选用纯铜Q195材料，厚度比是：Cu∶Q195∶Cu＝10～15％∶70～80％∶10～15％，经爆炸焊接、热轧、冷轧工艺，制得在Q195钢层的两面各包覆上一薄层纯铜，成品厚度为0.2～0....
该专利属于孙典学所有，仅供学习研究参考，未经过孙典学授权不得商用。

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