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本发明涉及一种用于转移隐埋电路层(2)的工艺。该工艺的特征在于，其包括下列步骤：取得施主衬底(1，1’)，所述施主衬底在内部包括用于停止刻蚀的区域(7，7’)，并且所述施主衬底在其表面中被称为“前”侧的一个表面(12)覆盖有电路层(2)；在...
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