温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的各个实施例涉及半导体器件和电子设备。半导体器件的可靠性得到改进。该半导体器件包括：接线，作为用于在半导体衬底之上的第一绝缘膜之上形成的端子的导电膜图案；第二绝缘膜，以覆盖该接线的方式形成在第一绝缘膜之上；以及镍层，形成在从在第二绝缘...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。