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本发明涉及一种用于对功率半导体(30)热保护的电路装置，其中在功率半导体的控制回路和负载回路中设有两级的热保护。具有与温度有关的电阻装置(R4)的第一级(10)当在所述与温度有关的电阻装置(R4)处达到第一阈值温度时用于减少或者切断所述功率...
该专利属于HKR苏弗汽车有限责任两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过HKR苏弗汽车有限责任两合公司授权不得商用。

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