下载半导体器件及其形成方法的技术资料

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一种半导体器件及其形成方法,半导体器件的形成方法包括:提供具有第一区域和第二区域的衬底,衬底表面具有介质层,第一区域的介质层内具有暴露出衬底表面的第一开口,第二区域的介质层内具有暴露出衬底表面的第二开口,第一开口的底部具有第一栅介质层,第二...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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