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本发明涉及一种ITO烧结体以及由该ITO烧结体组成的ITO溅射靶材，其中，所述ITO烧结体为，Sn的含量以SnO2量换算为质量百分比2.5～10.0％，并具有In2O3母相与存在于该In2O3母相的晶粒边界处的In4Sn3O12相，并且相对...
该专利属于三井金属矿业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三井金属矿业株式会社授权不得商用。

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