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本申请提供了一种分离栅极式存储器的制作方法及其字线CMP量测结构。该分离栅极式存储器包括第一衬底和设置在第一衬底上的多个第一栅极结构和第一字线多晶硅层，第一栅极结构的第一间距为L1，第一栅极结构的第二间距为L2，且L1＜L2，字线CMP量测...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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