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本发明提供了一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法，包括以下步骤：A、提供一基板，在基板上方依次沉积缓冲层和非晶硅层；B、对非晶硅层进行图案化处理；C、对非晶硅层进行离子掺杂；D、对非晶硅层进行退火处理，形成多晶硅层；E、在多晶硅层上依次沉...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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