温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种N型TFT的制作方法，通过对遮光层进行栅格状图案化处理来控制多晶硅层的不同区域形成结晶差异，使得多晶硅层不同区域的结晶晶粒大小不同，进而仅通过一次离子掺杂制程使得多晶硅层不同区域在掺杂浓度相同的条件下由于晶粒大小不同而产生电阻...该专利属于深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。