N型TFT的制作方法技术

本发明专利技术提供一种N型TFT的制作方法，通过对遮光层进行栅格状图案化处理来控制多晶硅层的不同区域形成结晶差异，使得多晶硅层不同区域的结晶晶粒大小不同，进而仅通过一次离子掺杂制程使得多晶硅层不同区域在掺杂浓度相同的条件下由于晶粒大小不同而产生电阻率不同，实现等同于LDD结构的效果，能够使TFT具有较低的漏电流和较高的可靠性；同时由于只需要一次离子注入，能够节省制程时间和制造成本，减少多晶硅层的损伤，缩短活化时间，有利于柔性显示器的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作工艺，尤其涉及一种N型TFT的制作方法。
技术介绍
平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，IXD)及有机电致发光显不装置(Organic Light Emitting Display，0LED)等。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关器件和驱动器件用在诸如LCD、0LED等显示装置上。按照TFT形成电流时载流子的不同，TFT可分为以N型TFT (以电子为载流子)、与P型TFT (以空穴为载流子)两大类。其中，N型TFT的漏电流较大，为了提高N型TFT的可靠性，现有技术通常在N型TFT内半导体层的沟道两侧设置轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain，LDD)，通过LDD来降低漏电流。传统的制作具有LDD结构的N型TFT的方法包括以下步骤:步骤1、如图1所示，提供一基板100,在所述基板100上沉积一遮光层(Lightshielding本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型TFT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积一遮光层，对所述遮光层进行栅格状图案化处理，得到多个相互间隔的独立遮光块(21)；步骤2、在所述多个独立遮光块(21)及基板(10)上依次沉积缓冲层(30)和非晶硅层，并使所述非晶硅层结晶、转化为多晶硅层(40)；所述多晶硅层(40)对应于多个独立遮光块(21)的第一区域(41)的结晶晶粒最小，对应于每相邻两个独立遮光块(21)之间间隔的第二区域(42)的结晶晶粒最大，剩余的第三区域(43)的结晶晶粒适中；步骤3、在所述多晶硅层(40)上沉积栅极绝缘层(50)；步骤4、在所述栅极绝缘层(50...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡国仁，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44