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一种SOI体接触器件结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的埋氧化层；位于所述埋氧化层上的半导体层；位于所述半导体层上的栅极；位于所述半导体层的源区和漏区，所述源区和所述漏区分别位于所述栅极两侧下方；位于所述半导体层的体接触区；位于所...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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