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半导体发光器件及其制造方法技术
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文档序号:12789256
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本发明提供了一种用于制造半导体发光器件的方法,该方法可包括步骤:形成具有暴露出基本层的一些部分的多个开口的掩模层和模型层;形成多个第一导电类型的半导体芯,每个第一导电类型的半导体芯包括从基本层延伸穿过每个开口的主体部分和设置在主体部分上并具...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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