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一种低温下N掺杂铋系氧化物的制备方法技术
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文档序号:12784524
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本发明涉及一种室温下制备N掺杂碳酸氧铋的方法,其特征在于:合成温度为室温15~40℃,合成条件为常压;以含铋无机盐为铋源,含氮表面活性剂为氮源,铋源和氮源的原料具有可替换性;采用化学共沉淀法将溶液混合,从而制备氮掺杂铋系氧化物。本发明方法制...
该专利属于西南石油大学所有,仅供学习研究参考,未经过西南石油大学授权不得商用。
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