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本发明公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物，在化学式1中，M1是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、钽(Ta)、或铌(Nb)；和在化学式2中，M2是钒(V)或钽(Ta...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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