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本发明公开了一种改善晶圆边缘产品良率的方法，在STI CMP工艺前，在介质膜保护层上增加沉积一研磨停止层，然后通过涂布光刻负胶，进行晶圆边缘曝光，使晶圆边缘曝光区域的光刻负胶保留，而将晶圆边缘曝光区域以外的光刻负胶去除，接着，刻蚀去除光刻负...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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