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本发明涉及一种原位生成硫化镉检测地塞米松的光电化学传感器的制备方法。本发明具体是采用羧基化氮化碳和硫化铋作为基底材料，镉离子功能化的二氧化钛标记地塞米松抗体。通过在电极表面直接滴加硫化钠，原位生成高光电转换效率的窄带隙硫化镉半导体纳米材料，...
该专利属于济南大学所有，仅供学习研究参考，未经过济南大学授权不得商用。

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