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抑制浅沟槽隔离结构深度负载效应的方法技术
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文档序号:12704041
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本发明主要涉及一种抑制浅沟槽隔离结构深度负载效应的方法,首先藉由第一、第二开口刻蚀衬底,对应分别形成位于第一区域中的带有垂直侧壁的第一沟槽和位于第二区域中的带有垂直侧壁的第二沟槽,后续再刻蚀第一、第二沟槽各自暴露出来的顶部拐角区,直至第一、...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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