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本发明提出了一种EEPROM的制备方法，在形成存储比特结构和常开比特结构之后，对其中需要置于常开比特结构进行离子注入，离子注入于常开比特结构下方衬底的表面，可以降低阈值电压，提高电流，在EEPROM工作时有利于数据的存储和维持，提高器件的性...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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