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本发明提供了一种具有应力集中结构的SOI晶圆的制造方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆进行热氧化，在晶圆表面形成氧化硅薄膜；对第一晶圆进行氢离子注入，以便在第一晶圆里形成一个富含氢元素的薄层；对氧化硅薄膜进行图形化以形成凹槽区域，...
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