温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于涉及一种采用硅通孔构成的三维集成电容器及其制造方法。一种采用硅通孔构成的三维集成电容器，包括顶层介质层、外层金属环极板、内层金属极板、顶层层间介质层、外层互连金属环、内层互连金属柱、中间层互连金属环、半导体衬底、第一介质层、第一金...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。