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本发明提供一种干式蚀刻装置,用于阵列基板的蚀刻,所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体,所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁,所述第一电极设于顶壁上,所述第二电极设于底壁上,所述两个导接体间隔设...该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种干式蚀刻装置,用于阵列基板的蚀刻,所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体,所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁,所述第一电极设于顶壁上,所述第二电极设于底壁上,所述两个导接体间隔设...