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本发明公开了一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，首先采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；接着对隧穿氧化层进行掺氮，且掺氮浓度随着隧穿氧化层的深度逐渐递减；然后在隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；最后采用化学气...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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