温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，包括：在形成多晶硅栅极的MOS晶体管表面淀积氮化硅层或二氧化硅层；在所述氮化硅层或二氧化硅层上涂光刻胶，经过曝光和显影后形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜对MOS晶体管进行源漏区的离子注入...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。